Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image

Cadmium Arsenide ស៊ីឌី₃As₂|GaAs InAs Nb₃As₂

ការពិពណ៌នា

Cadmium Arsenide ស៊ីឌី₃As_២5N 99.999%,ពណ៌ប្រផេះងងឹត ជាមួយនឹងដង់ស៊ីតេ 6.211g/cm³ចំណុចរលាយ 721°C ម៉ូលេគុល 487.04 CAS12006-15-4 រលាយក្នុងអាស៊ីតនីទ្រីក HNO₃ និងស្ថេរភាពនៅក្នុងខ្យល់ គឺជាសមាសធាតុសំយោគនៃសារធាតុ cadmium និងអាសេនិចដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់។Cadmium Arsenide គឺជា semimetal អសរីរាង្គនៅក្នុងគ្រួសារ II-V ហើយបង្ហាញឥទ្ធិពល Nernst ។គ្រីស្តាល់ Cadmium Arsenide ដែលត្រូវបានដាំដុះដោយវិធីសាស្ត្រលូតលាស់របស់ Bridgman រចនាសម្ព័ន្ធ Semimetal Dirac ភាគច្រើនដែលមិនមានស្រទាប់ គឺជាសារធាតុ semiconductor N-type II-V degenerate ឬ semiconductor ដែលមានគម្លាតតូចចង្អៀតជាមួយនឹងការចល័តក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនខ្ពស់ ម៉ាស់ដែលមានប្រសិទ្ធភាពទាប និងដំណើរការមិនមានប៉ារ៉ាបូលខ្ពស់ ក្រុមតន្រ្តី។Cadmium Arsenide ស៊ីឌី₃As₂ឬ CdAs គឺជាគ្រីស្តាល់រឹង ហើយរកឃើញកម្មវិធីកាន់តែច្រើនឡើងៗនៅក្នុង semiconductor និងក្នុងវិស័យ photo optic ដូចជានៅក្នុងឧបករណ៍ចាប់អ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ ដោយប្រើ Nernst effect, នៅក្នុង thin-film dynamic pressure sensor, laser, light-emitting diodes LED, quantum dots, to បង្កើត magnetoresistors និងនៅក្នុង photodetectors ។សមាសធាតុ Arsenide នៃ Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs និង Niobium Arsenide NbAs ឬ Nb₅As_៣ស្វែងរកកម្មវិធីបន្ថែមទៀតដូចជាសម្ភារៈអេឡិចត្រូលីត សម្ភារៈ semiconductor ការបង្ហាញ QLED វាល IC និងវាលសម្ភារៈផ្សេងទៀត។

ការដឹកជញ្ជូន

Cadmium Arsenide ស៊ីឌី₃As₂និង Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs និង Niobium Arsenide NbAs ឬ Nb₅As₃នៅ Western Minmetals (SC) Corporation ជាមួយនឹង 99.99% 4N និង 99.999% ភាពបរិសុទ្ធ 5N មានទំហំនៃ polycrystalline micropowder -60mesh, -80mesh, nanoparticle, ដុំ 1-20mm, granule 1-6mm, chunk, blank, bulk crystal និង single crystal ល។ ឬតាមការបញ្ជាក់តាមតម្រូវការ ដើម្បីឈានទៅដល់ដំណោះស្រាយដ៏ល្អឥតខ្ចោះ។

សាកសួរឥឡូវនេះ

ព័ត៌មានលម្អិត

ស្លាក

ភាពជាក់លាក់ខាងបច្ចេកទេស

សមាសធាតុ Arsenide

សមាសធាតុ Arsenide ជាចម្បងសំដៅទៅលើធាតុលោហៈ និងសមាសធាតុ metalloid ដែលមានសមាសភាព stoichiometric ផ្លាស់ប្តូរក្នុងជួរជាក់លាក់មួយដើម្បីបង្កើតជាដំណោះស្រាយរឹងដែលមានមូលដ្ឋានលើសមាសធាតុ។សមាសធាតុអន្តរលោហធាតុគឺជាលក្ខណៈសម្បត្តិដ៏ល្អរបស់វារវាងលោហៈ និងសេរ៉ាមិច ហើយក្លាយជាសាខាសំខាន់នៃសម្ភារៈរចនាសម្ព័ន្ធថ្មី។ក្រៅពី Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs និង Niobium Arsenide NbAs ឬ Nb₅As_៣អាចត្រូវបានសំយោគផងដែរនៅក្នុងសំណុំបែបបទនៃម្សៅ, granule, ដុំ, របារ, គ្រីស្តាល់និងស្រទាប់ខាងក្រោម។

ទេ	ធាតុ	ការបញ្ជាក់ស្តង់ដារ
ទេ	ធាតុ	ភាពបរិសុទ្ធ	ភាពមិនបរិសុទ្ធ PPM អតិបរមានីមួយៗ	ទំហំ
1	កាដមៀ អាសេនីត ស៊ីឌី₃As₂	5N	Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0.5, Ni/S 0.2, Zn/Pb 1.0	-60mesh -80mesh powder, ដុំ 1-20mm, granule 1-6mm
2	Gallium Arsenide GaAs	5N 6N 7N	សមាសភាព GaAs អាចរកបានតាមការស្នើសុំ
3	Niobium Arsenide NbAs	3N5	សមាសភាព NbAs អាចរកបានតាមការស្នើសុំ
4	ឥណ្ឌា Arsenide InAs	5N 6N	InAs Composition អាចរកបានតាមការស្នើសុំ
5	ការវេចខ្ចប់	500g ឬ 1000g ក្នុងដបជ័រ ឬថង់សមាសធាតុ ប្រអប់ប្រអប់ខាងក្រៅ

Gallium Arsenide

Gallium Arsenide GaAs, សមាសធាតុ III-V សម្ភារៈ semiconductor គម្លាតផ្ទាល់ជាមួយរចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់លាយស័ង្កសី ត្រូវបានសំយោគដោយសារធាតុ Gallium និងសារធាតុអាសេនិចដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ហើយអាចត្រូវបានកាត់ជាចំណែក និងប្រឌិតទៅជា wafer និងទទេពីគ្រីស្តាល់តែមួយដែលដាំដុះដោយវិធីសាស្ត្រ Vertical Gradient Freeze (VGF) .សូមអរគុណចំពោះភាពចល័តនៃសាលដ៏ឆ្អែត និងស្ថេរភាពនៃថាមពល និងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ សមាសធាតុ RF ទាំងនោះ មីក្រូវ៉េវ IC និងឧបករណ៍ LED ដែលផលិតដោយវាសុទ្ធតែសម្រេចបាននូវដំណើរការដ៏អស្ចារ្យនៅក្នុងឈុតទំនាក់ទំនងប្រេកង់ខ្ពស់។ទន្ទឹមនឹងនេះប្រសិទ្ធភាពនៃការបញ្ជូនពន្លឺកាំរស្មី UV របស់វាក៏អនុញ្ញាតឱ្យវាក្លាយជាសម្ភារៈមូលដ្ឋានដែលបានបញ្ជាក់នៅក្នុងឧស្សាហកម្ម Photovoltaic ។Gallium Arsenide GaAs wafer នៅ Western Minmetals (SC) Corporation អាចត្រូវបានចែកចាយរហូតដល់ 6" ឬ 150mm នៅក្នុងអង្កត់ផ្ចិតជាមួយនឹងភាពបរិសុទ្ធ 6N 7N ហើយស្រទាប់ខាងក្រោមមេកានិច Gallium Arsenide ក៏មានផងដែរ។ ទន្ទឹមនឹងនេះដែរ Gallium Arsenide polycrystalline bar, ដុំ និង granule ជាដើម ជាមួយនឹងភាពបរិសុទ្ធ។ នៃ 99.999% 5N, 99.9999% 6N, 99.99999% 7N ដែលផ្តល់ពី Western Minmetals (SC) Corporation ក៏មានផងដែរ ឬជាការបញ្ជាក់តាមតម្រូវការតាមការស្នើសុំ។

អាសេនីតឥណ្ឌា

អាសេនីតឥណ្ឌូណេស៊ី, សារធាតុ semiconductor ផ្ទាល់-band-gap គ្រីស្តាល់នៅក្នុងរចនាសម្ព័ន្ធស័ង្កសីលាយបញ្ចូលគ្នាដោយសារធាតុ indium និង arsenic ដ៏បរិសុទ្ធ ដែលដាំដុះដោយ Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) method អាចត្រូវបានកាត់ចូលទៅក្នុង និងប្រឌិតចូលទៅក្នុង wafer ពីគ្រីស្តាល់តែមួយ។ដោយសារតែដង់ស៊ីតេនៃការផ្លាស់ទីលំនៅទាបប៉ុន្តែបន្ទះឈើថេរ InAs គឺជាស្រទាប់ខាងក្រោមដ៏ល្អមួយដើម្បីគាំទ្របន្ថែមទៀតនូវរចនាសម្ព័ន្ធ InAsSb, InAsPSb & InNAsSb ឬរចនាសម្ព័ន្ធ superlattice AlGaSb ។ដូច្នេះវាដើរតួយ៉ាងសំខាន់ក្នុងការផលិតឧបករណ៍បំភាយអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដជួររលក 2-14 μm។លើសពីនេះ ការចល័តសាលកំពូល ប៉ុន្តែគម្លាតថាមពលតូចចង្អៀតរបស់ InAs ក៏អនុញ្ញាតឱ្យវាក្លាយជាស្រទាប់ខាងក្រោមដ៏អស្ចារ្យសម្រាប់ធាតុផ្សំនៃសាល ឬការផលិតឧបករណ៍ឡាស៊ែរ និងវិទ្យុសកម្មផ្សេងទៀត។Indium Arsenide InAs នៅ Western Minmetals (SC) Corporation ជាមួយនឹងភាពបរិសុទ្ធនៃ 99.99% 4N, 99.999% 5N, 99.9999% 6N អាចត្រូវបានចែកចាយនៅក្នុងស្រទាប់ខាងក្រោមនៃ 2" 3" 4" នៅក្នុងអង្កត់ផ្ចិត។ ទន្ទឹមនឹងនេះដែរ Indium Arsenide polycrystalline ដុំ (SC) ) សាជីវកម្មក៏មានផងដែរ ឬជាការបញ្ជាក់តាមតម្រូវការតាមការស្នើសុំ។

Niobium Arsenide

Nអ៊ីយ៉ូប អាសេនីត Nb₅As₃ or NbAs,គ្រីស្តាល់រឹងក្រៅស ឬប្រផេះ, CAS No.12255-08-2, ទម្ងន់រូបមន្ត 653.327 Nb₅As₃និង 167.828 NbAs គឺជាសមាសធាតុគោលពីរនៃ Niobium និង Arsenic ជាមួយនឹងសមាសភាព NbAs, Nb5As3, NbAs4 ... លដែលសំយោគដោយវិធីសាស្ត្រ CVD អំបិលរឹងទាំងនេះមានថាមពលបន្ទះឈើខ្ពស់ណាស់ ហើយមានជាតិពុលដោយសារការពុលនៃសារធាតុអាសេនិច។ការវិភាគកំដៅនៃសីតុណ្ហភាពខ្ពស់បង្ហាញពី NdAs បង្ហាញពីការប្រែប្រួលអាសេនិចនៅពេលកំដៅ។ Niobium Arsenide ដែលជា Weyl semimetal គឺជាប្រភេទ semiconductor និង photoelectric material នៅក្នុងកម្មវិធី semiconductor, photo optic, laser light-emitting diodes, quantum dots, optical and pressure sensors as intermediate, and to fabricate superconductor etc. Niobium Arsenide Nb₅As₃ឬ NbAs នៅ Western Minmetals (SC) សាជីវកម្មជាមួយនឹងភាពបរិសុទ្ធ 99.99% 4N អាចត្រូវបានចែកចាយក្នុងទម្រង់ជាម្សៅ គ្រាប់ ដុំ គោលដៅ និងគ្រីស្តាល់ដុំ ល ឬតាមការបញ្ជាក់តាមតម្រូវការ ដែលគួររក្សាទុកក្នុងកន្លែងបិទជិត ធន់នឹងពន្លឺ។ , កន្លែងស្ងួតនិងត្រជាក់។

ការណែនាំអំពីលទ្ធកម្ម

គំរូអាចរកបានតាមការស្នើសុំ
ការដឹកជញ្ជូនទំនិញដោយសុវត្ថិភាពដោយអ្នកនាំសំបុត្រ/ផ្លូវអាកាស/សមុទ្រ
ការគ្រប់គ្រងគុណភាព COA/COC
ការវេចខ្ចប់ប្រកបដោយសុវត្ថិភាព និងងាយស្រួល
ការវេចខ្ចប់ស្តង់ដាររបស់អង្គការសហប្រជាជាតិ អាចរកបានតាមការស្នើសុំ

វិញ្ញាបនប័ត្រ ISO9001:2015
លក្ខខណ្ឌ CPT/CIP/FOB/CFR ដោយ Incoterms 2010
លក្ខខណ្ឌបង់ប្រាក់ដែលអាចបត់បែនបាន T/TD/PL/C អាចទទួលយកបាន។
វិមាត្រពេញលេញ សេវាកម្មក្រោយពេលលក់
ការត្រួតពិនិត្យគុណភាពដោយឧបករណ៍ទំនើប

ការអនុម័តបទប្បញ្ញត្តិ Rohs/REACH
កិច្ចព្រមព្រៀងមិនបង្ហាញព័ត៌មាន NDA
គោលនយោបាយរ៉ែមិនជម្លោះ
ការត្រួតពិនិត្យការគ្រប់គ្រងបរិស្ថានជាទៀងទាត់
ការបំពេញទំនួលខុសត្រូវសង្គម

Cd₂As₃ Nb₂As₃GaAs InAs

មុន៖ សេលេញ៉ូមស៊ុលហ្វីត SeS₂|GeS₂MoS₂SnS₂TiS₂

បន្ទាប់៖ Tungsten Titanium Carbide (W, Ti) C

Cadmium Arsenide ស៊ីឌី₃As₂|GaAs InAs Nb₃As₂

ព័ត៌មានលម្អិត