ថ្នាំ Antimonide ឥណ្ឌា InSb

ការពិពណ៌នា

Indium Antimonide InSbដែលជាសារធាតុ semiconductor នៃសមាសធាតុគ្រីស្តាល់នៃក្រុម III-V ជាមួយនឹងរចនាសម្ព័ន្ធបន្ទះស័ង្កសីលាយបញ្ចូលគ្នា ត្រូវបានសំយោគដោយ 6N 7N ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់នៃធាតុឥណ្ឌូ និង antimony និងបានរីកចម្រើនគ្រីស្តាល់តែមួយដោយវិធីសាស្ត្រ VGF ឬ Liquid Encapsulated Czochralski method LEC ពីតំបន់ជាច្រើនដែលចម្រាញ់ polycrystalline ingot ។ ដែលអាចកាត់ជាដុំៗ និងប្រឌិតចូលទៅក្នុង wafer និងទប់ស្កាត់នៅពេលក្រោយ។InSb គឺជា semiconductor ផ្លាស់ប្តូរដោយផ្ទាល់ដែលមានគម្លាតក្រុមតូចចង្អៀតនៃ 0.17eV នៅសីតុណ្ហភាពបន្ទប់ ភាពប្រែប្រួលខ្ពស់ចំពោះរលកចម្ងាយ 1-5μm និងការចល័តនៃសាលខ្ពស់ជ្រុល។Indium Antimonide InSb n-type, p-type និង semi-insulating conductivity at Western Minmetals (SC) Corporation អាចត្រូវបានផ្តល់ជូនក្នុងទំហំ 1″ 2″ 3″ និង 4” (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) អង្កត់ផ្ចិត ការតំរង់ទិស < 111> ឬ <100> និងជាមួយនឹងការបញ្ចប់ផ្ទៃ wafer នៃការកាត់, lapped, etched និង polished ។គោលដៅរបស់ Indium Antimonide InSb នៃ Dia.50-80mm ជាមួយនឹង un-doped n-type ក៏មានផងដែរ។ទន្ទឹមនឹងនេះ សារធាតុ polycrystalline indium antimonide InSb ( multicrystal InSb) ដែលមានទំហំដុំមិនទៀងទាត់ ឬទទេ (15-40) x (40-80) mm និងរបារមូលនៃ D30-80mm ក៏ត្រូវបានប្ដូរតាមបំណងតាមការស្នើសុំចំពោះដំណោះស្រាយដ៏ល្អឥតខ្ចោះផងដែរ។

ការដាក់ពាក្យ

Indium Antimonide InSb គឺជាស្រទាប់ខាងក្រោមដ៏ល្អមួយសម្រាប់ការផលិតសមាសធាតុ និងឧបករណ៍ទំនើបៗជាច្រើន ដូចជាដំណោះស្រាយរូបភាពកម្ដៅកម្រិតខ្ពស់ ប្រព័ន្ធ FLIR ធាតុសាល និងធាតុឥទ្ធិពលមេដែក ប្រព័ន្ធណែនាំកាំជ្រួចផ្ទះអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញារូបថតអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដដែលមានការឆ្លើយតបខ្ពស់ ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាទប់ទល់ម៉ាញេទិក និងរ៉ូតារីដែលមានភាពជាក់លាក់ខ្ពស់ អារេប្លង់ប្រសព្វ ហើយវាក៏ប្រែប្រួលជាប្រភពវិទ្យុសកម្ម terahertz និងក្នុងកែវយឺតអវកាសអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដជាដើម។