Single Crystal Germanium Wafer / Ingot Featured Image

គ្រីស្តាល់តែមួយ Germanium Wafer / Ingot

ការពិពណ៌នា

គ្រីស្តាល់តែមួយ Germanium Wafer / Ingotឬ monocrystalline germanium គឺជារូបរាងពណ៌ប្រផេះប្រាក់ ចំណុចរលាយ 937°C ដង់ស៊ីតេ 5.33 g/cm³.គ្រីស្តាល់ germanium មានភាពផុយ និងមានប្លាស្ទិកតិចតួចនៅសីតុណ្ហភាពបន្ទប់។សារធាតុ germanium ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ត្រូវបានទទួលដោយតំបន់អណ្តែត ហើយលាបជាមួយ indium និង gallium ឬ antimony ដើម្បីទទួលបាន conductivity n-type ឬ p-type ដែលមានភាពចល័តអេឡិចត្រុងខ្ពស់ និងការចល័តរន្ធខ្ពស់ ហើយអាចត្រូវបានកំដៅដោយអេឡិចត្រូនិចសម្រាប់ការប្រឆាំងនឹងអ័ព្ទ ឬប្រឆាំងនឹងការកក។ កម្មវិធី។Single Crystal Germanium ត្រូវបានដាំដុះដោយបច្ចេកវិជ្ជា Vertical Gradient Freeze VGF ដើម្បីធានាថាវាមានស្ថេរភាពគីមី ធន់នឹងច្រេះ ការបញ្ជូនល្អ សន្ទស្សន៍ចំណាំងបែរខ្ពស់ និងកម្រិតខ្ពស់នៃភាពល្អឥតខ្ចោះនៃបន្ទះឈើ។

កម្មវិធី

គ្រីស្តាល់ Germanium តែមួយ រកឃើញកម្មវិធីដ៏ជោគជ័យ និងធំទូលាយ ដែលនៅក្នុងថ្នាក់អេឡិចត្រូនិចត្រូវបានប្រើសម្រាប់ diodes និង transistors អ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ ឬអុបទិក germanium grade blank ឬ window គឺសម្រាប់ IR optical window ឬ disks សមាសធាតុអុបទិកដែលប្រើក្នុងចក្ខុវិស័យពេលយប់ និងដំណោះស្រាយរូបភាពកំដៅសម្រាប់សុវត្ថិភាព ការវាស់សីតុណ្ហភាពពីចម្ងាយ។ ឧបករណ៍ត្រួតពិនិត្យអគ្គីភ័យ និងឧស្សាហ៍កម្ម ឧបករណ៍វាយកម្ទេចភ្លើងប្រភេទ P និង N ប្រភេទ Germanium wafer ក៏អាចត្រូវបានប្រើសម្រាប់ការពិសោធន៍បែបផែន Hall ផងដែរ។Cell grade គឺសម្រាប់ស្រទាប់ខាងក្រោមដែលប្រើក្នុង III-V triple-junction solar cells និងសម្រាប់ថាមពលប្រព័ន្ធ PV Concentrated នៃ solar cell ។ល។

សាកសួរឥឡូវនេះ

ព័ត៌មានលម្អិត

ស្លាក

ភាពជាក់លាក់ខាងបច្ចេកទេស

គ្រីស្តាល់ Germanium តែមួយ

គ្រីស្តាល់ Germanium Wafer តែមួយ ឬ Ingotជាមួយនឹង n-type, p-type និង un-doped conductivity និងការតំរង់ទិស <100> នៅ Western Minmetals (SC) Corporation អាចត្រូវបានចែកចាយក្នុងទំហំ 2, 3, 4 និង 6 inch អង្កត់ផ្ចិត (50mm, 75mm, 100mm និង 150mm) ជាមួយ ការបញ្ចប់ផ្ទៃនៃ etched ឬ polished នៅក្នុងកញ្ចប់នៃ Foam box ឬ cassette សម្រាប់ wafer និងនៅក្នុងថង់ប្លាស្ទិចបិទជិតសម្រាប់ ingot ជាមួយនឹងប្រអប់ carton ខាងក្រៅ, polycrystalline germanium ingot អាចរកបានផងដែរតាមការស្នើសុំ, ឬតាមការបញ្ជាក់តាមបំណងដើម្បីសម្រេចបាននូវដំណោះស្រាយដ៏ល្អឥតខ្ចោះ។

និមិត្តសញ្ញា	Ge
លេខអាតូមិច	32
ទំងន់អាតូមិច	៧២.៦៣
ប្រភេទធាតុ	លោហធាតុ
ក្រុម, រយៈពេល, ប្លុក	14, 4, ទំ
រចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់	ពេជ្រ
ពណ៌	ពណ៌សប្រផេះ
ចំណុចរលាយ	937°C, 1211.40K
ចំណុចរំពុះ	2833°C, 3106K
ដង់ស៊ីតេ 300K	5.323 ក្រាម / សង់ទីម៉ែត្រ³
ភាពធន់ខាងក្នុង	46 Ω-cm
លេខ CAS	៧៤៤០-៥៦-៤
លេខ EC	២៣១-១៦៤-៣

ទេ	ធាតុ	ការបញ្ជាក់ស្តង់ដារ
1	Germanium Wafer	2"	3"	4"	6"
2	អង្កត់ផ្ចិតមម	50.8 ± 0.3	៧៦.២±០.៣	100 ± 0.5	150 ± 0.5
3	វិធីសាស្រ្តលូតលាស់	VGF ឬ CZ	VGF ឬ CZ	VGF ឬ CZ	VGF ឬ CZ
4	ចរន្តអគ្គិសនី	P-type / doped (Ga ឬ In), N-type/ doped Sb, Un-doped
5	ការតំរង់ទិស	(100) ± 0.5 °	(100) ± 0.5 °	(100) ± 0.5 °	(100) ± 0.5 °
6	កម្រាស់ μm	145, 175, (500-1000)
7	ភាពធន់ Ω-cm	0.001-50	0.001-50	0.001-50	0.001-50
8	ភាពចល័ត cm2/Vs	> ២០០	> ២០០	> ២០០	> ២០០
9	TTV μm អតិបរមា	៥, ៨, ១០	៥, ៨, ១០	៥, ៨, ១០	៥, ៨, ១០
10	Bow μm អតិបរមា	15	15	15	15
11	Warp μm អតិបរមា	15	15	15	15
12	ការផ្លាស់ទីលំនៅ cm-2 អតិបរមា	៣០០	៣០០	៣០០	៣០០
13	EPD cm-2	<4000	<4000	<4000	<4000
14	ចំនួនភាគល្អិត a/wafer អតិបរមា	10 (នៅ≥0.5μm)	10 (នៅ≥0.5μm)	10 (នៅ≥0.5μm)	10 (នៅ≥0.5μm)
15	ការបញ្ចប់ផ្ទៃ	P/E, P/P ឬតាមតម្រូវការ
16	ការវេចខ្ចប់	ធុង wafer តែមួយ ឬ កាសែត ខាងក្នុង ប្រអប់ ប្រអប់ ខាងក្រៅ

ទេ	ធាតុ	ការបញ្ជាក់ស្តង់ដារ
1	សារធាតុ Germanium Ingot	2"	3"	4"	6"
2	ប្រភេទ	P-type / doped (Ga, In), N-type/ doped (As, Sb), Un-doped
3	ភាពធន់ Ω-cm	0.1-50	0.1-50	0.1-50	0.1-50
4	អាយុកាលសេវាកម្ម μs	80-600	80-600	80-600	80-600
5	ប្រវែង Ingot mm	140-300	140-300	140-300	140-300
6	ការវេចខ្ចប់	បិទជិតក្នុងថង់ផ្លាស្ទិច ឬប្រអប់ស្នោនៅខាងក្នុង ប្រអប់ខាងក្រៅ
7	ចំណាំ	Polycrystalline germanium ingot អាចរកបានតាមការស្នើសុំ

គ្រីស្តាល់ Germanium តែមួយរកឃើញកម្មវិធីដ៏ជោគជ័យ និងធំទូលាយ ដែលនៅក្នុងថ្នាក់អេឡិចត្រូនិចត្រូវបានប្រើសម្រាប់ diodes និង transistors អ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ ឬអុបទិក germanium grade blank ឬ window គឺសម្រាប់ IR optical window ឬ disks សមាសធាតុអុបទិកដែលប្រើក្នុងចក្ខុវិស័យពេលយប់ និងដំណោះស្រាយរូបភាពកំដៅសម្រាប់សុវត្ថិភាព ការវាស់សីតុណ្ហភាពពីចម្ងាយ។ ឧបករណ៍ត្រួតពិនិត្យអគ្គីភ័យ និងឧស្សាហ៍កម្ម ឧបករណ៍វាយកម្ទេចភ្លើងប្រភេទ P និង N ប្រភេទ Germanium wafer ក៏អាចត្រូវបានប្រើសម្រាប់ការពិសោធន៍បែបផែន Hall ផងដែរ។Cell grade គឺសម្រាប់ស្រទាប់ខាងក្រោមដែលប្រើក្នុង III-V triple-junction solar cells និងសម្រាប់ថាមពលប្រព័ន្ធ PV Concentrated នៃ solar cell ។ល។