Single Crystal Silicon Ingot Featured Image

គ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុនតែមួយ

ការពិពណ៌នា

គ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុនតែមួយis ជាធម្មតាលូតលាស់ ជាការបញ្ចូលរាងស៊ីឡាំងធំដោយបច្ចេកវិទ្យា doping និងទាញត្រឹមត្រូវ Czochralski CZ វាលម៉ាញេទិកបានជំរុញ Czochralski MCZ និងវិធីសាស្រ្ត FZ តំបន់អណ្តែត។វិធីសាស្ត្រ CZ គឺត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយបំផុតសម្រាប់ការលូតលាស់គ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុននៃដុំដែករាងស៊ីឡាំងធំដែលមានអង្កត់ផ្ចិតរហូតដល់ 300mm ដែលប្រើក្នុងឧស្សាហកម្មអេឡិចត្រូនិចដើម្បីបង្កើតឧបករណ៍ semiconductor ។វិធីសាស្ត្រ MCZ គឺជាបំរែបំរួលនៃវិធីសាស្ត្រ CZ ដែលវាលម៉ាញេទិកដែលបង្កើតឡើងដោយអេឡិចត្រូម៉ាញេទិច ដែលអាចសម្រេចបាននូវកំហាប់អុកស៊ីសែនទាប កំហាប់មិនបរិសុទ្ធទាប ការផ្លាស់ទីលំនៅទាប និងការប្រែប្រួលនៃភាពធន់ទ្រាំឯកសណ្ឋាន។វិធីសាស្រ្ត FZ ជួយសម្រួលដល់ការសម្រេចបាននូវភាពធន់ខ្ពស់លើសពី 1000 Ω-cm និងគ្រីស្តាល់ដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ជាមួយនឹងមាតិកាអុកស៊ីសែនទាប។

ការដឹកជញ្ជូន

Single Crystal Silicon Ingot CZ, MCZ, FZ ឬ FZ NTD ជាមួយនឹង n-type ឬ p-type conductivity នៅ Western Minmetals (SC) Corporation អាចត្រូវបានចែកចាយក្នុងទំហំ 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm និង 200mm អង្កត់ផ្ចិត (2, 3 , 4, 6 និង 8 អ៊ីង) ការតំរង់ទិស <100>, <110>, <111> ជាមួយនឹងផ្ទៃដីនៅក្នុងកញ្ចប់ថង់ប្លាស្ទិកនៅខាងក្នុងជាមួយនឹងប្រអប់ប្រអប់ខាងក្រៅ ឬតាមការបញ្ជាក់តាមតម្រូវការដើម្បីឈានទៅដល់ដំណោះស្រាយដ៏ល្អឥតខ្ចោះ។

សាកសួរឥឡូវនេះ

ព័ត៌មានលម្អិត

ស្លាក

ភាពជាក់លាក់ខាងបច្ចេកទេស

គ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុនតែមួយ

Single Crystal Silicon Ingot CZ, MCZ, FZ ឬ FZ NTDជាមួយនឹងចរន្ត n-type ឬ p-type នៅក្រុមហ៊ុន Western Minmetals (SC) Corporation អាចត្រូវបានចែកចាយក្នុងទំហំ 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm និង 200mm អង្កត់ផ្ចិត (2, 3, 4, 6 និង 8 inch) ការតំរង់ទិស <100 >, <110>, <111> ជាមួយនឹងផ្ទៃដីនៅក្នុងកញ្ចប់ថង់ប្លាស្ទិកនៅខាងក្នុងជាមួយនឹងប្រអប់ប្រអប់ខាងក្រៅ ឬតាមការបញ្ជាក់តាមតម្រូវការដើម្បីឈានដល់ដំណោះស្រាយដ៏ល្អឥតខ្ចោះ។

ទេ	ធាតុ	ការបញ្ជាក់ស្តង់ដារ
1	ទំហំ	2", 3", 4", 5", 6", 8", 9.5", 10", 12"
2	អង្កត់ផ្ចិតមម	50.8-241.3 ឬតាមតម្រូវការ
3	វិធីសាស្រ្តលូតលាស់	CZ, MCZ, FZ, FZ-NTD
4	ប្រភេទចរន្ត	P-type / Boron doped, N-type / Phosphide doped ឬ Un-doped
5	ប្រវែងមម	≥180 ឬតាមតម្រូវការ
6	ការតំរង់ទិស	<100>, <110>, <111>
7	ភាពធន់ Ω-cm	តាមតម្រូវការ
8	មាតិកាកាបូន a/cm³	≤5E16 ឬតាមតម្រូវការ
9	មាតិកាអុកស៊ីសែន a/cm³	≤1E18 ឬតាមតម្រូវការ
10	ការបំពុលលោហៈ a/cm³	<5E10 (Cu, Cr, Fe, Ni) ឬ <3E10 (Al, Ca, Na, K, Zn)
11	ការវេចខ្ចប់	ថង់ផ្លាស្ទិចនៅខាងក្នុង ប្រអប់ឈើ ឬប្រអប់ខាងក្រៅ។

និមិត្តសញ្ញា	Si
លេខអាតូមិច	14
ទំងន់អាតូមិច	28.09
ប្រភេទធាតុ	លោហធាតុ
ក្រុម, រយៈពេល, ប្លុក	14, 3, ទំ
រចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់	ពេជ្រ
ពណ៌	ប្រផេះចាស់
ចំណុចរលាយ	1414°C, 1687.15 K
ចំណុចរំពុះ	3265°C, 3538.15 K
ដង់ស៊ីតេ 300K	2.329 ក្រាម / សង់ទីម៉ែត្រ³
ភាពធន់ខាងក្នុង	3.2E5 Ω-cm
លេខ CAS	៧៤៤០-២១-៣
លេខ EC	២៣១-១៣០-៨

គ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុនតែមួយនៅពេលដែលលូតលាស់ទាំងស្រុង និងមានលក្ខណៈគ្រប់គ្រាន់នៃភាពធន់របស់វា មាតិកាមិនបរិសុទ្ធ ភាពល្អឥតខ្ចោះនៃគ្រីស្តាល់ ទំហំ និងទម្ងន់ ត្រូវបានដាក់មូលដ្ឋានដោយប្រើកង់ពេជ្រដើម្បីធ្វើឱ្យវាក្លាយជាស៊ីឡាំងដ៏ល្អឥតខ្ចោះទៅអង្កត់ផ្ចិតខាងស្តាំ បន្ទាប់មកឆ្លងកាត់ដំណើរការឆ្លាក់ដើម្បីដកពិការភាពមេកានិចដែលបន្សល់ទុកដោយដំណើរការកិន។ .បន្ទាប់មក រាងស៊ីឡាំងត្រូវបានកាត់ចូលទៅក្នុងប្លុកដែលមានប្រវែងជាក់លាក់ ហើយត្រូវបានផ្តល់ស្នាមរន្ធ និងផ្ទះល្វែងបឋម ឬបន្ទាប់បន្សំដោយប្រព័ន្ធគ្រប់គ្រង wafer ដោយស្វ័យប្រវត្តិសម្រាប់ការតម្រឹមដើម្បីកំណត់ទិសដៅគ្រីស្តាល់ និងចរន្តមុនពេលដំណើរការកាត់ wafer ចុះក្រោម។