ទេ | ធាតុ | ការបញ្ជាក់ស្តង់ដារ | ||
1 | រាង | សារាចរ | សារាចរ | ការ៉េ |
2 | ទំហំ | 2" | 4" | -- |
3 | អង្កត់ផ្ចិតមម | 50.8 ± 0.5 | 100 ± 0.5 | -- |
4 | ប្រវែងចំហៀង mm | -- | -- | 10x10 ឬ 10x5 |
5 | វិធីសាស្រ្តលូតលាស់ | HVPE | HVPE | HVPE |
6 | ការតំរង់ទិស | យន្តហោះ C (0001) | យន្តហោះ C (0001) | យន្តហោះ C (0001) |
7 | ប្រភេទចរន្ត | ប្រភេទ N/Si-doped, Un-doped, ពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់ | ||
8 | ភាពធន់ Ω-cm | <0.1, <0.05, >1E6 | ||
9 | កម្រាស់ μm | 350 ± 25 | 350 ± 25 | 350 ± 25 |
10 | TTV μm អតិបរមា | 15 | 15 | 15 |
11 | Bow μm អតិបរមា | 20 | 20 | 20 |
12 | EPD cm-2 | <5E8 | <5E8 | <5E8 |
13 | ការបញ្ចប់ផ្ទៃ | P/E, P/P | P/E, P/P | P/E, P/P |
14 | ភាពគ្រេីមនៃផៃ្ទ | ផ្នែកខាងមុខ: ≤0.2nm, ខាងក្រោយ: 0.5-1.5μm ឬ ≤0.2nm | ||
15 | ការវេចខ្ចប់ | ធុង wafer តែមួយបិទជិតក្នុងថង់អាលុយមីញ៉ូម។ |
រូបមន្តលីនេអ៊ែរ | ហ្គាន |
ទម្ងន់ម៉ូលេគុល | ៨៣.៧៣ |
រចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់ | ស័ង្កសីលាយ/Wurtzite |
រូបរាង | រឹងថ្លា |
ចំណុចរលាយ | 2500 អង្សាសេ |
ចំណុចរំពុះ | គ្មាន |
ដង់ស៊ីតេ 300K | 6.15 ក្រាម / សង់ទីម៉ែត្រ3 |
គម្លាតថាមពល | (3.2-3.29) eV នៅ 300K |
ភាពធន់ខាងក្នុង | > 1E8 Ω-cm |
លេខ CAS | ២៥៦១៧-៩៧-៤ |
លេខ EC | ២៤៧-១២៩-០ |