អាសេនីតឥណ្ឌា

ការពិពណ៌នា

Indium arsenide InAs crystal គឺជាសារធាតុ semiconductor នៃក្រុម III-V ដែលត្រូវបានសំយោគដោយយ៉ាងហោចណាស់ 6N 7N សុទ្ធឥណ្ឌូម និងសារធាតុអាសេនិច និងលូតលាស់គ្រីស្តាល់តែមួយដោយដំណើរការ VGF ឬ Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) រូបរាងពណ៌ប្រផេះ គ្រីស្តាល់គូបដែលមានរចនាសម្ព័ន្ធស័ង្កសីលាយ។ ចំណុចរលាយ ៩៤២ អង្សាសេ។Indium arsenide band gap គឺជាការផ្លាស់ប្តូរដោយផ្ទាល់ដូចគ្នាទៅនឹង gallium arsenide ហើយទទឹងក្រុមតន្រ្តីហាមឃាត់គឺ 0.45eV (300K)។គ្រីស្តាល់ InAs មានឯកសណ្ឋានខ្ពស់នៃប៉ារ៉ាម៉ែត្រអគ្គិសនី បន្ទះឈើថេរ ភាពចល័តអេឡិចត្រុងខ្ពស់ និងដង់ស៊ីតេពិការភាពទាប។គ្រីស្តាល់ InAs រាងស៊ីឡាំងដែលដាំដុះដោយ VGF ឬ LEC អាចត្រូវបានកាត់ និងប្រឌិតទៅជា wafer as-cut, etched, polished or epi-ready for MBE or MOCVD epitaxial growth.

កម្មវិធី

Indium arsenide crystal wafer គឺជាស្រទាប់ខាងក្រោមដ៏ល្អសម្រាប់ផលិតឧបករណ៍ Hall និងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាវាលម៉ាញេទិកសម្រាប់ការចល័តសាលកំពូលរបស់វា ប៉ុន្តែគម្លាតថាមពលតូចចង្អៀត ដែលជាសម្ភារៈដ៏ល្អសម្រាប់ការសាងសង់ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដដែលមានជួររលក 1-3.8 µm ដែលប្រើក្នុងកម្មវិធីដែលមានថាមពលខ្ពស់ជាង។ នៅសីតុណ្ហភាពបន្ទប់ ក៏ដូចជាកាំរស្មីអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ Super lattice lasers ពាក់កណ្តាលរលក ការផលិតឧបករណ៍ LEDs ពាក់កណ្តាលអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដសម្រាប់ជួររលក 2-14 μmរបស់វា។លើសពីនេះ InAs គឺជាស្រទាប់ខាងក្រោមដ៏ល្អដើម្បីគាំទ្របន្ថែមទៀតនូវ InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb ឬ AlGaSb super lattice structure ជាដើម។

សាកសួរឥឡូវនេះ

ព័ត៌មានលម្អិត

ស្លាក

ភាពជាក់លាក់ខាងបច្ចេកទេស

អាសេនីតឥណ្ឌា

អ៊ីនអាស

Indium Arsenide Crystal Waferគឺជាស្រទាប់ខាងក្រោមដ៏ល្អសម្រាប់ផលិតឧបករណ៍ Hall និងឧបករណ៍ចាប់វាលម៉ាញេទិកសម្រាប់ការចល័តសាលកំពូលរបស់វាប៉ុន្តែមានកម្រិតថាមពលតូចចង្អៀត ដែលជាសម្ភារៈដ៏ល្អសម្រាប់ការសាងសង់ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដដែលមានជួររលក 1-3.8 µm ដែលប្រើក្នុងកម្មវិធីថាមពលខ្ពស់នៅសីតុណ្ហភាពបន្ទប់។ ក៏ដូចជាកាំរស្មីអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដទំនើប ឡាស៊ែរ ពាក់កណ្តាលអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ ការផលិតឧបករណ៍ LEDs ពាក់កណ្តាលអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ សម្រាប់ជួររលក 2-14 μm របស់វា។លើសពីនេះ InAs គឺជាស្រទាប់ខាងក្រោមដ៏ល្អដើម្បីគាំទ្របន្ថែមទៀតនូវ InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb ឬ AlGaSb super lattice structure ជាដើម។

ទេ	ធាតុ	ការបញ្ជាក់ស្តង់ដារ
1	ទំហំ	2"	3"	4"
2	អង្កត់ផ្ចិតមម	50.5 ± 0.5	៧៦.២±០.៥	100 ± 0.5
3	វិធីសាស្រ្តលូតលាស់	LEC	LEC	LEC
4	ចរន្តអគ្គិសនី	ប្រភេទ P/Zn-doped, N-type/S-doped, Un-doped
5	ការតំរង់ទិស	(100) ± 0.5 °, (111) ± 0.5 °
6	កម្រាស់ μm	500 ± 25	600 ± 25	800 ± 25
7	ការតំរង់ទិសផ្ទះល្វែង mm	១៦ ± ២	២២±២	៣២±២
8	កំណត់អត្តសញ្ញាណផ្ទះល្វែង mm	8 ± 1	១១±១	18 ± 1
9	ភាពចល័ត cm2/Vs	60-300, ≥2000 ឬតាមតម្រូវការ
10	ការប្រមូលផ្តុំក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូន cm-3	(3-80)E17 ឬ ≤5E16
11	TTV μm អតិបរមា	10	10	10
12	Bow μm អតិបរមា	10	10	10
13	Warp μm អតិបរមា	15	15	15
14	Dislocation Density cm-2 អតិបរមា	១០០០	2000	៥០០០
15	ការបញ្ចប់ផ្ទៃ	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	ការវេចខ្ចប់	ធុង wafer តែមួយបិទជិតក្នុងថង់អាលុយមីញ៉ូម។

រូបមន្តលីនេអ៊ែរ	អ៊ីនអាស
ទម្ងន់ម៉ូលេគុល	189.74
រចនាសម្ព័ន្ធគ្រីស្តាល់	ល្បាយស័ង្កសី
រូបរាង	គ្រីស្តាល់ពណ៌ប្រផេះរឹង
ចំណុចរលាយ	(៩៣៦-៩៤២) អង្សាសេ
ចំណុចរំពុះ	គ្មាន
ដង់ស៊ីតេ 300K	5.67 ក្រាម / សង់ទីម៉ែត្រ³
គម្លាតថាមពល	0.354 អ៊ីវី
ការតស៊ូខាងក្នុង	0.16 Ω-cm
លេខ CAS	១៣០៣-១១-៣
លេខ EC	២១៥-១១៥-៣

អាសេនីតឥណ្ឌានៅក្រុមហ៊ុន Western Minmetals (SC) Corporation អាចត្រូវបានផ្គត់ផ្គង់ជាដុំ polycrystalline ឬគ្រីស្តាល់តែមួយ as-cut, etched, polished, or epi-ready wafers in size of 2” 3” and 4” (50mm, 75mm,100mm) អង្កត់ផ្ចិត និង p-type, n-type ឬ un-doped conductivity និង <111> ឬ <100> ទិស។ការបញ្ជាក់តាមតម្រូវការគឺសម្រាប់ដំណោះស្រាយដ៏ល្អឥតខ្ចោះសម្រាប់អតិថិជនរបស់យើងនៅទូទាំងពិភពលោក។